一种直拉单晶炉热场系统用的下反射板
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摘要

本实用新型涉及单晶炉技术领域,且公开了一种直拉单晶炉热场系统用的下反射板,包括底板,所述底板的顶部固定安装有围板,所述底板的顶部固定安装有贯穿底板的托杆座,所述托杆座的顶部与底部均嵌设有花键轴承,所述托杆座的内部填充有位于花键轴承相对一侧的第一填料,所述围板的与底板的顶部均开设有固定孔,所述底板的顶部固定安装有数量为两个且分别位于托杆座左右两侧并贯穿底板的电极座。该直拉单晶炉热场系统用的下反射板,可在安装时对电极高度进行微调,提高精度、生产加工环境等因素的影响下存在误差的电极适配性,使其完好的与坩埚进行组合,提高热传导率,与加热效率,避免热量大量散失。

基本信息
专利标题 :
一种直拉单晶炉热场系统用的下反射板
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921618594.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-26
授权号 :
CN210974927U
授权日 :
2020-07-10
发明人 :
宋生宏罗乾陈立民高俊伟陈健
申请人 :
阳光能源(青海)有限公司
申请人地址 :
青海省西宁市经济技术开发区金源路
代理机构 :
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 :
丁国勇
优先权 :
CN201921618594.7
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-07-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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