垂直CVT籽晶法制备外尔半金属晶体的方法
实质审查的生效
摘要
本发明一种垂直CVT籽晶法制备外尔半金属晶体的方法，将块状金属铌箔或钽箔精与粉末状的砷和碘混合获得第一混合物；外尔半金属晶粒作为籽晶加入到第一混合物中，获得第二混合物；将第二混合物作为反应原料加入到石英管中，将石英管抽真空后密封；将密封后的石英管竖直放置于立式生长炉中，升温到450‑550℃后保温20‑40min；继续升温到1000‑1100℃后保温20‑40天；保温结束后缓慢冷却到450‑550℃后停止反应并冷却至室温。本发明采用了垂直生长工艺，晶体在底部生长时不需要大的传输路程，可以保持晶体生长的连续性；降低了石英管中的轴向和径向温度梯度，使反应过程更加稳定，从而有利于获得大尺寸的单晶。
基本信息
专利标题 ：
垂直CVT籽晶法制备外尔半金属晶体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540944A
申请号 ：
CN202210077252.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡章贵赵博进邱海龙孙印昌霍宗举
申请人 ：
天津理工大学
申请人地址 ：
天津市西青区宾水西道391号
代理机构 ：
太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宏
优先权 ：
CN202210077252.9
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00 C30B29/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/00
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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