一种基于偏压调控的外尔半金属材料器件设计方法
公开
摘要
本发明公开了一种基于偏压调控的外尔半金属材料器件设计方法。本发明揭示了外尔半金属材料的光电性质与偏压的相关性，通过第一性原理计算出外尔半金属材料的能带图、态密度图以及光电流大小，间接说明了外尔半金属材料器件的光电性质与电子能带跃迁之间的关系，直观地显示出器件在不同偏压下光电流的大小，并为偏压调控手段在器件应用相关领域奠定了理论基础。
基本信息
专利标题 ：
一种基于偏压调控的外尔半金属材料器件设计方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114564840A
申请号 ：
CN202210201464.3
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丁颖李源王新茹程鑫雨廖烈鸿张嘉颜
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州奥创知识产权代理有限公司
代理人 ：
王佳健
优先权 ：
CN202210201464.3
主分类号 ：
G06F30/20
IPC分类号 ：
G06F30/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
