一种半超结MOS器件
授权
摘要
本实用新型的主要目的为提供一种具有内置P阱及补偿层的半超结VDMOS器件，采用上下两片直接键合的方式，在上层片(N‑型)的背面先扩散N型补偿层，再选择性扩散P阱，和N+型电压支撑层后，与N++型衬底下层片直接键合，经减薄抛光上层片后，形成槽栅式VDMOS。通过增加P阱，并辅以N型层，提高了漏源击穿电压，降低了栅漏电容；因增加了N型层，避免了由于P阱形成的补偿效应导致导通电阻的增加；增加的N+层进一步降低了导通电阻；使用直接键合和背扩P‑/N/N+型层的方式，替代了外延片，降低了成本。
基本信息
专利标题 ：
一种半超结MOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020396574.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-25
授权号 ：
CN212010981U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
杨朔
申请人 ：
上海安微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市徐汇区桂平路680号33幢303-45室
代理机构 ：
合肥律众知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄珍玲
优先权 ：
CN202020396574.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/18 H01L21/336
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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