半导体器件及其设计方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供了一种具有高静电放电容限而不增加制造成本和降低半导体器件性能的半导体静电放电保护器件。在形成于半导体衬底上的半导体电路上方设置导体，一部分导体连接到电源线，和剩下的导体连接到地线，以增强空气放电模型的静电放电容限。而且，将关于半导体电路的导体面积比率设置为40％或更多，由此形成具有卓越效率的半导体静电放电保护器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其设计方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841724A
申请号 ：
CN200610079348.X
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小岩进雄
申请人 ：
精工电子有限公司
申请人地址 ：
日本千叶县千叶市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
梁永
优先权 ：
CN200610079348.X
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2008-12-31 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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