三硼酸锂大单晶的生长方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及三硼酸锂LiB3O5(简称LBO)单晶的生长和用途，阐述了非线性激光晶体LBO的高温熔剂籽晶生长的工艺方法，以Li2O·3B2O3组成计算熔质，以B2O3或改性的B2O3为溶剂，熔质与熔剂的百分重量比为100∶20～100∶150，用LiB3O5做籽晶于834℃以下进行晶体生长，生长周期为30小时以上，获得晶体边长大于10mm，使用该晶体做为激光倍频器，倍频转换率为30～50％。
基本信息
专利标题 ：
三硼酸锂大单晶的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1040228A
申请号 ：
CN88104838.0
公开（公告）日 ：
1990-03-07
申请日 ：
1988-08-11
授权号 ：
CN1015650B
授权日 ：
1992-02-26
发明人 ：
黄朝恩赵书清张红武
申请人 ：
国家建筑材料工业局人工晶体研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区东坝
代理机构 ：
中国法律事务中心知识产权律师事务所
代理人 ：
魏永金
优先权 ：
CN88104838.0
主分类号 ：
C30B29/10
IPC分类号 ：
C30B29/10 C30B9/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
法律状态
1994-09-21 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-05-26 ：
授权
1992-02-26 ：
审定
1990-11-28 ：
实质审查请求
1990-03-07 ：
公开
1989-09-13 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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