三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件
专利申请的视为撤回
摘要
本发明涉及一种从含Cs2O和B2O3熔体中采用提拉技术生长CsB3O5单晶的方法，以及以CsB3O5单晶体制作的非线性光学器件。以本方法生长的CsB3O5单晶体，可用于制作非线性光学器件；该非线性光学器件具有高转换效率，抗光损伤性能优越，并能产生波长短至1700的紫外光输出。
基本信息
专利标题 ：
三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1085612A
申请号 ：
CN92112293.4
公开（公告）日 ：
1994-04-20
申请日 ：
1992-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴以成佐佐木孝友
申请人 ：
中国科学技术大学;佐佐木孝友
申请人地址 ：
230026安徽省合肥市金寨路96号
代理机构 ：
中国科学技术大学专利事务所
代理人 ：
汪祥虬
优先权 ：
CN92112293.4
主分类号 ：
C30B29/10
IPC分类号 ：
C30B29/10 C30B15/00 C30B29/22 G02B1/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
法律状态
1996-01-03 ：
专利申请的视为撤回
1994-04-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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