一种单晶硅拉制用网格缠绕大尺寸石墨坩埚及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种单晶硅拉制用网格缠绕大尺寸石墨坩埚，包括坩埚本体和设置在坩埚本体底部的坩埚埚底，坩埚本体由N块埚瓣拼装组成，坩埚本体的直筒段内径为800mm～1500mm，且坩埚本体的外表面上嵌入有网格缠绕层；本发明还公开了石墨坩埚的制造方法，该方法包括：一、将埚瓣拼装形成对接的坩埚本体；二、机械加工形成沟槽；三、缠绕形成嵌入沟槽的纤维缠绕层；四、固化后机加和脱模；五、炭化后与坩埚埚底组配。本发明将坩埚本体设计为分瓣式结构，增加了石墨坩埚的尺寸，提高了石墨坩埚的设备利用率和制备效率，同时施以嵌入式的网格缠绕层提高了石墨坩埚埚瓣瓣体的整体性、稳定性和结构强度；本发明的制造方法提高了生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶硅拉制用网格缠绕大尺寸石墨坩埚及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481298A
申请号 ：
CN202111683635.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵松冯婧李聪张建德张灵玉权珍党瑞萍程皓邢如鹏
申请人 ：
西安超码科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区锦业一路56号研祥城市广场B座23层楼2322室
代理机构 ：
西安创知专利事务所
代理人 ：
马小燕
优先权 ：
CN202111683635.2
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10 C30B29/06 B32B1/00 B32B9/00 B32B9/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/10
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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