一种硅基扇出型晶圆级封装方法及封装结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种硅基扇出型晶圆级封装方法及封装结构，属于集成电路封装领域。提供硅基，在其正面依次成型trench槽、大空腔；研磨硅基的背面使大空腔形成贯通槽；将硅基、埋入芯片采用facedown工艺依次通过临时键合胶固定在塑封载板上；采用塑封工艺将塑封料填充于埋入芯片、硅基空隙及trench槽；拆除塑封载板并清洗干净临时键合胶，形成重构晶圆；在晶圆正面依次制作钝化层、多层布线、阻焊层；在晶圆背面进行研磨减薄、激光打标；在晶圆正面制作微凸点，再将晶圆切成单颗封装芯片，完成封装。使用贯穿槽解决了现有贴片过程中因凹槽底部硅凸起带来的芯片crack或硅基破片问题；晶圆以硅为基体，能够改善流片过程中存在地翘曲、偏移问题，提高布线密度。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基扇出型晶圆级封装方法及封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551254A
申请号 ：
CN202111603506.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
顾峰光张鹏郁澄宇王成迁
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨强
优先权 ：
CN202111603506.8
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/3065 H01L23/29 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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