一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构
授权
摘要
本实用新型公开一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构，属于集成电路封装领域。所述埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构包括硅基，所述硅基的第一面开有凹槽，所述凹槽中埋有芯片；所述芯片包括TSV转接芯片、TSV转接芯片和高密度I/O异质芯片；所述芯片的TSV金属通道或金属焊盘与第一表面重布线连接，所述第一表面重布线通过微凸点与高密度I/O异质芯片倒装焊接；所述硅基的第二面填充有真空压干膜，并依次制作有第二表面重布线、阻焊层和凸点。
基本信息
专利标题 ：
一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921224997.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN210296360U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
王成迁明雪飞吉勇
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨立秋
优先权 ：
CN201921224997.3
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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