一种分裂栅功率MOS器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种分裂栅功率MOS器件的制备方法，涉及半导体技术领域，包括：步骤S1，湿法刻蚀第一沟槽内的多晶硅层，形成屏蔽栅；步骤S2，沉积氮化硅层；步骤S3，干法刻蚀，保留第一沟槽内的氮化硅层；步骤S4，以氮化硅层作为自对准硬掩膜，湿法刻蚀第一沟槽内的场氧化层；步骤S5，湿法去除所有氮化硅层；步骤S6，于第一沟槽的侧壁形成栅氧化层，于屏蔽栅的上方以及两壁栅氧化层之间形成栅间氧化层；步骤S7，淀积栅多晶硅层，栅多晶硅层覆盖栅间氧化层，且与器件表面齐平，形成控制栅。本发明利用氮化硅层作为自对准硬掩膜，能够减少沟槽中场氧化层的侧向腐蚀，形成上下结构的分裂栅，并且器件输入电容小，制造成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种分裂栅功率MOS器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361251A
申请号 ：
CN202210009958.1
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈雪萌王艳颖钱晓霞
申请人 ：
嘉兴斯达微电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市南湖区大桥镇凌公塘路3339号（嘉兴科技城）1号楼220室
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
党蕾
优先权 ：
CN202210009958.1
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20220105
申请日 : 20220105
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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