一种平面型分裂栅的IGBT半导体功率器件

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摘要

本实用新型公开了一种平面型分裂栅的IGBT半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底上的N型轻掺杂漂移区，N型轻掺杂漂移区上的P型阱区，P型阱区一侧的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的N型重掺杂区，远离栅结构的N型重掺杂区一侧的P型重掺杂区，该N型重掺杂区和P型重掺杂区相连构成重掺杂发射区，P型阱区另一侧的N型重掺杂缓冲区，N型重掺杂缓冲区上的P型重掺杂集电极区，P型阱区中间有贯穿P型阱区并延伸至N型轻掺杂漂移区的栅结构，该栅结构采用多晶硅材料和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂发射区上的发射极，P型重掺杂集电极区上的集电极，栅结构区上的栅极。该器件通过分裂栅，结合NMOS和PNP晶体管实现平面型分裂栅IGBT器件。

基本信息

专利标题：

一种平面型分裂栅的IGBT半导体功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021991524.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-11

授权号：

CN212810309U

授权日：

2021-03-26

发明人：

陈利陈译陈彬

申请人：

厦门芯一代集成电路有限公司

申请人地址：

福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元

代理机构：

厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

苏娟

优先权：

CN202021991524.9

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L29/423 H01L29/06 H01L29/10