一种具有超结结构的平面型分裂栅IGBT半导体功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有超结结构的平面型分裂栅IGBT半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底上的N型重掺杂区和P型阱区，该N型重掺杂区设在P型阱区中间，在P型阱区一侧靠近栅结构的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的N型重掺杂源区，N型重掺杂源区相接的P型重掺杂源区，在P型阱区另一侧靠近栅结构的N型轻掺杂漂移区，N型轻掺杂漂移区相接的N型重掺杂缓冲区，N型重掺杂缓冲区相接的P型重掺杂集电极区，P型阱区上的控制栅区和分裂栅区，该栅结构区采用多晶硅和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出发射极，栅结构引出栅极，P型重掺杂集电极区引出集电极。该IGBT功率器件通过分裂栅和超结结构可以有效地提高其开关速度。
基本信息
专利标题 ：
一种具有超结结构的平面型分裂栅IGBT半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022096396.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-22
授权号 ：
CN213184297U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
陈利陈译陈彬
申请人 ：
厦门芯一代集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元
代理机构 ：
厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
苏娟
优先权 ：
CN202022096396.8
主分类号 ：
H01L29/08
IPC分类号 ：
H01L29/08 H01L29/423 H01L29/06 H01L29/739
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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