一种具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，在半导体衬底上表面的P型阱区和N型阱区，在P型阱区上的左右对称N型轻掺杂区，在N型轻掺杂区上的N型重掺杂半导体源/漏区，在N型阱区上的左右对称P型轻掺杂区，P型轻掺杂区上的P型重掺杂半导体源/漏区，在NMOS和PMOS源/漏区之间的栅极区，在该栅极区下表面的导电介质区，在NMOS和PMOS之间的STI隔离区，在NMOS和PMOS的源/漏区的源/漏极，在栅极区的控制栅极和分裂栅极。该器件通过改变沟道区掩埋导电介质的掺杂元素、剂量或区域减小沟道比导通电阻，通过控制栅和分裂栅的栅结构，提高该器件的开关速度。
基本信息
专利标题 ：
一种具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021870175.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-31
授权号 ：
CN212659542U
授权日 ：
2021-03-05
发明人 ：
陈利陈译陈彬
申请人 ：
厦门芯一代集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元
代理机构 ：
厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
苏娟
优先权 ：
CN202021870175.5
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L29/78 H01L29/423 H01L29/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2021-03-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
