III族氮化物材料半导体结构中的寄生沟道减轻
实质审查的生效
摘要
本文中总体上描述了III族氮化物材料，包括包含III族氮化物材料区域和含硅衬底的材料结构。某些实施例涉及氮化镓材料和包括氮化镓材料区域和含硅衬底的材料结构。
基本信息
专利标题 ：
III族氮化物材料半导体结构中的寄生沟道减轻
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420545A
申请号 ：
CN202210020773.0
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2016-09-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
约翰·克拉森·罗伯茨凯文·J·林西克姆艾伦·W·汉森小詹姆斯·W·库克
申请人 ：
麦克姆技术解决方案控股有限公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
程强
优先权 ：
CN202210020773.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20160907
申请日 : 20160907
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
