本实用新型公开了一种高速掩埋DFB半导体激光器，包括N‑InP衬底层、在N‑InP衬底层上依次生长的N‑InP缓冲层、InGaAsP下分别限制层、InGaAsP应变多量子阱层、InGaAsP‑InP多层电子阻挡层、P‑InP间隔层、P‑InGaAsP光栅层、P‑InP保护层；还包括在脊型结构由内到外依次生长的P‑InP层、InGaAsP‑InP多层电子阻挡层、N‑InP层和P‑InP层。本实用新型提供的高速掩埋DFB半导体激光器在材料外延结构和脊型掩埋上采用多层InGaAsP/InP电子阻挡层来实现载流子水平和垂直方向的限制，从而提高芯片的高温性能，提高高温调制带宽，如此，有效提高了电子的限制，改善了芯片高温工作的性能。