光通信用掩埋结构高线性DFB激光器芯片
授权
摘要
本实用新型光通信用掩埋结构高线性DFB激光器芯片，包括半绝缘InP衬底层、P‑InP、N‑InP、P‑InP电流阻挡结构层和N‑InP缓冲层，在N‑InP缓冲层上方从下到上依次为：N‑InAlAs电子阻挡层、AlGaInAs下波导层、AlGaInAs应变多量子阱和垒结构层、AlGaInAs上波导层、P‑InAlAs电子阻挡层、P‑InP间隔层、P‑InGaAsP光栅层、P‑InP层、P‑InGaAs层和P‑InP层；P‑InP层上设有SiN介质层，N‑InP缓冲层上部至P‑InP层形成脊型波导结构；所述SiN介质层在脊型波导上形成悬臂结构。本实用新型有效改善含Al掩埋结构激光器的可靠性、发热特性和高温性能。
基本信息
专利标题 ：
光通信用掩埋结构高线性DFB激光器芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020294935.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-11
授权号 ：
CN211670427U
授权日 ：
2020-10-13
发明人 ：
薛正群邓仁亮李敬波苏辉
申请人 ：
福建中科光芯光电科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市石狮市高新区创新创业中心11#厂房1层
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
林捷
优先权 ：
CN202020294935.6
主分类号 ：
H01S5/20
IPC分类号 ：
H01S5/20 H01S5/22
法律状态
2020-10-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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