一种高线性度垂直腔面激光器芯片结构
授权
摘要
本实用新型属于激光器制造技术领域，具体提供了一种高线性度垂直腔面激光器芯片结构，包括由下至上依次加工形成的衬底、N‑DBR层、多量子阱层、P‑DBR层、帽层、绝缘层及电极接触层，绝缘层设有内外连接通道，内外连接通道设有金属层，金属层的上端面与电极层接触，金属层的下端面与帽层之间注入有离子注入层。在外延片清洗完成后先进行光刻工艺，将外延结构上不需要离子注入的区域用光刻胶保护，然后进行离子注入工艺，再将含有光刻胶的区域去胶，最后的工艺方法和现有工艺一样。当器件处于工作状态时载流子会被限制在离子注入的区域传输，不会因为刻蚀过程中过刻导致载流子的传输路径发生改变，提高了产品的可靠性，延长了使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种高线性度垂直腔面激光器芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022090801.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-22
授权号 ：
CN213636609U
授权日 ：
2021-07-06
发明人 ：
韩春霞
申请人 ：
武汉仟目激光有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区汤逊湖北路33号华工科技园·创新基地13栋1单元1层01号
代理机构 ：
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑飞
优先权 ：
CN202022090801.5
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/343
法律状态
2021-07-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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