一种具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底上的N型重掺杂区和P型阱区，该N型重掺杂区设在P型阱区中间，在P型阱区一侧靠近栅结构的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的N型重掺杂源区，N型重掺杂源区相接的P型重掺杂源区，在P型阱区另一侧靠近栅结构的N型轻掺杂漂移区，N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂缓冲区，远离栅结构区的N型重掺杂缓冲区一侧的P型重掺杂漏区，P型阱区中间的栅结构区，该栅结构采用多晶硅材料和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出源极，分裂栅结构引出栅极，N型/P型重掺杂漏区引出漏极。该半导体功率器件通过分裂栅和超结结构可以有效地提高其开关速度。
基本信息
专利标题 ：
一种具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022095507.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-22
授权号 ：
CN213184296U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
陈利陈译陈彬
申请人 ：
厦门芯一代集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元
代理机构 ：
厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
苏娟
优先权 ：
CN202022095507.3
主分类号 ：
H01L29/08
IPC分类号 ：
H01L29/08 H01L29/423 H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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