底座结构及功率半导体模块
授权
摘要
本实用新型涉及一种底座结构及功率半导体模块，底座结构包括：底座本体；第一连接部与第二连接部，所述第一连接部与所述第二连接部分别设置于所述底座本体的相对两端，所述第一连接部上设有开孔，第二连接部设有连接面，所述开孔与所述连接面不连通，所述连接面用于与陶瓷基覆铜板连接。上述底座结构，在使用过程中，将锡膏设置在陶瓷基覆铜板的指定位置上，由于连接面没有开设开孔，使得连接面与陶瓷基覆铜板的连接面积大大提高，有效减少焊接空洞，有利于增强连接面与陶瓷基覆铜板之间的连接稳定性，进而提高底座结构与陶瓷基覆铜板的连接可靠性，避免底座结构从陶瓷基覆铜板上脱落。
基本信息
专利标题 ：
底座结构及功率半导体模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123172393.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
CN216626208U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
周红鑫王双朱贤龙周晓阳刘军
申请人 ：
广东芯聚能半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市南沙区南沙街道南林路一巷73号之四103房
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
米晶晶
优先权 ：
CN202123172393.9
主分类号 ：
H05K1/18
IPC分类号 ：
H05K1/18 H05K1/02
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
