低功耗缘栅型双极晶体管
授权
摘要
本实用新型公开一种低功耗缘栅型双极晶体管，其位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内，位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向间隔地设置有第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区，所述第二重掺杂N型源极区位于第二沟槽的周边，所述第一重掺杂N型源极区位于第一沟槽的周边；P型掺杂阱层中部和上部分别设置有N型掺杂阱层、P型掺杂基区层，所述第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区均位于P型掺杂基区层的上部。本实用新型低功耗缘栅型双极晶体管降低了晶体管可实现更低的导通电压，降低了功率效能的损失，实现了晶体管组件优良的性能，可用于电力电子领域。
基本信息
专利标题 ：
低功耗缘栅型双极晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022428438.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN213583796U
授权日 ：
2021-06-29
发明人 ：
郭家铭俞仲威黄国伦张朝宗
申请人 ：
开泰半导体（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202022428438.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739
法律状态
2021-06-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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