一种低功耗功率器件
实质审查的生效
摘要
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种低功耗IGBT器件。相对于传统结构，本发明将P+发射极、N+发射极以及浮空P区连到不同的电位，从而自适应控制器件的工作状态。正向导通时，小电压下使发射极的PN结开启增强电导调制效应，大电压时自适应关断使器件饱和。开启过程中，浮空P区与发射极之间的二极管开启，为空穴提供一条通路，减小位移电流，降低了电流过冲。
基本信息
专利标题 ：
一种低功耗功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551570A
申请号 ：
CN202210149551.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗小蓉马臻王俊楠朱鹏臣杨可萌苏伟魏杰
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202210149551.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220218
申请日 : 20220218
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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