一种低功耗半导体功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种低功耗半导体功率器件，包括：半导体基板，半导体基板中，其第一导电类型漂移区的表面为第一主面，其第一导电类型衬底的表面为第二主面，第一主面上开设有沟槽，沟槽的侧壁上设置有栅氧层，其特征在于：沟槽的底部设置有厚度大于沟槽的侧壁上的栅氧层厚度的氧化层，沟槽中设置有多晶硅层，两两相邻的沟槽之间设置有第二导电类型注入层和第一导电类型注入区，第一主面上覆盖有绝缘介质层，绝缘介质层在相邻的沟槽之间开设有深入第二导电类型注入层的接触孔，在绝缘介质层的表面和接触孔中淀积有第一金属，形成源极；所述的第二主面上淀积有第二金属，形成漏极。本实用新型所述的低功耗半导体功率器件的耐压高，栅极电荷低。
基本信息
专利标题 ：
一种低功耗半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122841651.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
CN216648319U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
丁磊顾挺
申请人 ：
张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市凤凰镇港口工业园华泰路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122841651.1
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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