一种超低功耗半导体功率器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种超低功耗半导体功率器件，包括硅框架，所述硅框架的上端面上设置有器件凹槽，所述密封盖的安装凹槽的下端口处设置有隔板，所述隔板上遍设有通气孔；所述硅框架的器件凹槽中设置有集成电路板，所述器件凹槽的左侧槽壁和右侧槽壁上均设置有多个散热通孔；还包括密封盖和金属板，所述密封盖设置于硅框架的上端，所述密封盖的下端面上设置有安装凹槽，所述安装凹槽中设置有散热扇；所述密封盖的上端设置有接线端子连接器，所述接线端子连接器与散热扇电性相连；所述金属板设置于硅框架的下端面上，所述金属板上设置有安装孔；本发明与现有技术相比，不仅仅是通过散热结构进行散热，还通过散热扇进行吹风散热，有效提高了散热效果。
基本信息
专利标题 ：
一种超低功耗半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551382A
申请号 ：
CN202210106369.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施捷刘伟付强郏金鹏胡小明
申请人 ：
常州满旺半导体科技有限公司;常州工学院
申请人地址 ：
江苏省常州市天宁区青洋北路11号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210106369.5
主分类号 ：
H01L23/467
IPC分类号 ：
H01L23/467 H01L23/34 H01L23/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/46
包含有用流动流体传导热的
H01L23/467
通过流动气体的，例如空气的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/467
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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