一种超低功耗半导体功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种超低功耗半导体功率器件，其制程反应腔的输入端连接有防过载控制线路，防过载控制线路包括热交换机和与热交换机的输出端口通过电线连接的配电箱，配电箱的输出端口并联有多个配电盒，配电盒的输出端串联有与连通制程反应腔的循环泵；循环泵的外壁上固定有温度计，温度计连接有第一总控器，第一总控器的输出端连接第一开关阀；第一开关阀的输出端连接有第一断路开关，第一断路开关设置在热交换机和配电箱的连接线路上；配电盒通到循环泵的连接线路上设置有电流计，电流计的输出端连接有第二总控器，第二总控器的输出端连接有第二开关阀，第二开关阀的输出端连接有设置在配电盒和循环泵的连接线路上的第二断路开关。
基本信息
专利标题 ：
一种超低功耗半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020917168.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-27
授权号 ：
CN211980577U
授权日 ：
2020-11-20
发明人 ：
张华毛维松
申请人 ：
上海高芯机电有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区惠南镇东征路133号
代理机构 ：
北京中索知识产权代理有限公司
代理人 ：
高杨
优先权 ：
CN202020917168.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-11-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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