一种超低功耗半导体功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种超低功耗半导体功率器件，包括半导体功率器件本体，半导体功率器件本体的两侧表面均固定连接有引脚，多个引脚的一端固定连接有焊接脚，多个焊接脚的表面开设有焊接孔，半导体功率器件本体的表面固定连接有限位散热块，限位散热块的表面与半导体功率器件本体的表面相互平行。该超低功耗半导体功率器件，通过设置半导体功率器件本体的表面固定连接有限位散热块，限位散热块的表面与半导体功率器件的表面相互平行，限位散热块的内部设置有散热装置，散热装置包括有散热管，能够快速的散去焊接引脚所产生的热量以及半导体功率器件本体工作所产生的热量，进一步加强了半导体功率器件本体的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种超低功耗半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921803908.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-25
授权号 ：
CN210325779U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
江俊
申请人 ：
常州顺烨电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区河海西路195号
代理机构 ：
南通毅帆知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩冬
优先权 ：
CN201921803908.0
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/367 H01L23/467 H01L23/427
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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