一种抗辐射原子开关器件结构的制备方法及结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种抗辐射原子开关器件结构的制备方法及结构，属于微电子及半导体器件领域。提供活性金属电极，在其表面依次沉积SiN和SiO2；进行光刻和干法刻蚀开孔；在表面沉积阻挡层；在所述阻挡层表面制备不同组分TaGeOx固体电解质；采用PVD沉积惰性金属电极，阻挡层在此过程中氧化形成金属氧化物，并在活性金属电极表面形成合金；对开孔两侧区域进行刻蚀，然后在整体表面沉积SiN保护层；采用双大马士革工艺将活性金属电极与惰性金属电极层相连。兼容于CMOS工艺，集成度高，具有非易失性、尺寸小、编程效率高、可靠性高、抗总剂量能力强等优势，广泛应用于高速高效、高集成度、非易失性、可重构的抗辐射FPGA，非易失性存储器及仿生突触器件等领域。
基本信息
专利标题 ：
一种抗辐射原子开关器件结构的制备方法及结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429970A
申请号 ：
CN202210085596.4
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许磊魏敬和刘国柱赵伟魏轶聃魏应强陈浩然隋志远周颖
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑婷婷
优先权 ：
CN202210085596.4
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L21/70
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/24
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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