开关器件
授权
摘要
本公开涉及一种开关器件，其包括第一磷掺杂硅层，第一磷掺杂硅层在第二砷掺杂硅层的顶部上并且与第二砷掺杂硅层接触。
基本信息
专利标题 ：
开关器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922192734.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-10
授权号 ：
CN211182203U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
A·阿诺
申请人 ：
意法半导体(图尔)公司
申请人地址 ：
法国图尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
李春辉
优先权 ：
CN201922192734.5
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211182203U.PDF
PDF下载
