双栅极MIS-HEMT器件、双向开关器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
一种双栅极MIS‑HEMT器件、双向开关器件及其制备方法，该双栅极MIS‑HEMT器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底的一侧；外延层，设置在所述沟道层远离所述衬底的一侧，所述外延层上设有第一凹槽和第二凹槽；绝缘层，设置在所述外延层远离所述衬底的一侧，所述绝缘层覆盖所述第一凹槽和第二凹槽；第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极分别设置在所述第一凹槽和第二凹槽中的绝缘层上；源极、漏极和金属电极，设置在所述外延层远离所述衬底的一侧，所述金属电极设置在所述第一栅极和第二栅极之间。该双栅极MIS‑HEMT器件能与二极管进行连接来实现双向导通、单项导通和双向阻断，且其具有结构简单，高耐压，低饱和电流等特性。
基本信息
专利标题 ：
双栅极MIS-HEMT器件、双向开关器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284355A
申请号 ：
CN202111613106.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李帆王昱博袁晨杰刘雯
申请人 ：
西交利物浦大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号
代理机构 ：
苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
叶栋
优先权 ：
CN202111613106.5
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
