一种抗总剂量辐射加固的屏蔽栅VDMOS
公开
摘要
本发明提供一种抗总剂量辐射加固的屏蔽栅VDMOS，包括：漏极金属，重掺杂第一导电类型半导体衬底，第一层第一导电类型半导体漂移区，第二层第一导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体阱区，重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区，重掺杂第一导电类型半导体源区，屏蔽栅多晶硅电极，栅多晶硅电极，屏蔽栅介质层，隔离介质层，栅极介质层，栅源间介质层，源极金属。本发明提出了一种屏蔽栅VDMOS的漂移区非均匀掺杂分布，可使器件在受到一定剂量的总剂量辐射后漂移区纵向电场为均匀分布，此时的击穿电压为最大值。因此，该器件在经受总剂量辐射时，随着辐射剂量的增大，击穿电压发生先增大后减小的变化，使得需要更大的辐射剂量才能让器件退化至失效。
基本信息
专利标题 ：
一种抗总剂量辐射加固的屏蔽栅VDMOS
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597251A
申请号 ：
CN202210211123.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任敏涂俊杰张淑萍李泽宏张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202210211123.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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