一种提升MOS器件抗总剂量能力的栅氧加固方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种提升MOS器件抗总剂量能力的栅氧加固方法，属于微电子工艺制造领域。本发明通过采用特殊的CVD或ALD淀积的方法，淀积温度小于800摄氏度，制备MOS器件的高质量栅氧化层SiO2介质；在CVD或ALD淀积MOS器件栅氧化层前，通过采用传统热栅氧工艺在硅衬底表面生长厚度小于的SiO2，降低界面态密度，提升器件参数稳定性。本发明能够降低器件栅氧化层SiO2制造过程中的热预算，提升STI隔离区界面处P型Si的硼掺杂浓度，提升器件的抗电离总剂量辐射能力，且不需增加光刻次数，不增加制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种提升MOS器件抗总剂量能力的栅氧加固方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496763A
申请号 ：
CN202210086736.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王印权郑若成洪根深贺琪胡君彪郝新焱
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑婷婷
优先权 ：
CN202210086736.X
主分类号 ：
H01L21/285
IPC分类号 ：
H01L21/285 H01L29/423 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/285
气体或蒸气的沉积，例如冷凝
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/285
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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