一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO...
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摘要
本发明一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO2复合栅CMOS器件及工艺，所述工艺先分别按照铝栅工艺和硅栅工艺在在硅衬底上完成阈值注入，然后按改进的工艺依次生长SiO2栅氧层、形成SiO2氮氧硅层、淀积HTO栅氧层并形成SiO2氮氧硅层，最后完成之后相应的工艺流程；缺陷线在HTO层和SiO2层中随机分布，通过错位排列无法扩展到整个复合栅氧层，避免从HTO层上表面到SiO2层下表面形成的漏电通路问题，提高了栅氧的可靠性，在SiO2和HTO生长后增加了含氮气氛的退火工艺，减少了氧化层中的缺陷和陷阱，进一步提高栅氧的可靠性，并能减少辐射后器件的阈值漂移量从而提高抗总剂量辐射能力。
基本信息
专利标题 ：
一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO2复合栅CMOS器件及工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110854076A
申请号 ：
CN201911121337.7
公开（公告）日 ：
2020-02-28
申请日 ：
2019-11-15
授权号 ：
CN110854076B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
陈晓宇赵桂茹葛洪磊孙有民薛智民
申请人 ：
西安微电子技术研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路198号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
张海平
优先权 ：
CN201911121337.7
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-03-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20191115
申请日 : 20191115
2020-02-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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