一种栅氧结构和制备方法
公开
摘要
本申请涉及半导体技术领域中的一种栅氧结构和制备方法，包括SiC衬底层、氧化层、Al2O3层和高介电材料层，栅氧结构和制备方法氧化层设置在栅氧结构和制备方法SiC衬底层上，栅氧结构和制备方法Al2O3层设置在氧化层上，栅氧结构和制备方法Al2O3层远离氧化层的一侧设置有高介电材料层，具有沟道迁移率高、栅极能量损耗小的优点，突破了传统栅氧结构的栅极容易漏电流的瓶颈。
基本信息
专利标题 ：
一种栅氧结构和制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300533A
申请号 ：
CN202111614241.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
盛况邵泽伟王珩宇任娜
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
张解翠
优先权 ：
CN202111614241.1
主分类号 ：
H01L29/51
IPC分类号 ：
H01L29/51 C23C14/08 C23C16/40 C23C16/455 C23C16/56 C23C28/04 H01L21/28
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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