一种纳米栅结构及其制备方法和应用
公开
摘要
本发明提供了一种纳米栅结构，所述纳米栅结构包括晶圆(1)及在晶圆上水平相间排列的第一介质隔离层(3C)与第二介质隔离层(4C)和第三介质隔离层(5C)以及第四介质隔离层(6)形成第一复合介质隔离层、纳米栅(10)、第一介质隔离层(3C)以及第二介质隔离层(4B)形成的第二复合介质隔离层、纳米栅(10)、第五介质隔离层(7B)、纳米栅(10)、第五介质隔离层(7A)与第六介质隔离层(8C)以及第七介质隔离层(9)形成的第三复合隔离层，还提供了其制备方法和应用。本发明的方法可以简化纳米尺度的栅的制备，精确控制栅长尺寸，并实现纳米栅器件的制备，进而提升电子器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米栅结构及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496752A
申请号 ：
CN202011269807.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贾海强唐先胜陈弘
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘丹妮
优先权 ：
CN202011269807.7
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L29/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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