一种改善IO栅氧损伤的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种改善IO栅氧损伤的方法，在半导体结构上形成一层栅氧层；在栅氧层上形成多个相互间隔的伪栅极；刻蚀去除伪栅极，形成凹槽，将位于伪栅极下方的栅氧层暴露；形成一层牺牲氧化层覆盖凹槽的表面；凹槽底部的栅氧层被覆盖；形成光阻层覆盖半导体结构，之后显影定义出IO区域和core区域；显影后IO区域被光阻层覆盖；刻蚀去除core区域的牺牲氧化层和栅氧层；去除IO区域剩余的光阻层，同时IO区域的牺牲氧化层被去除。本发明在伪栅极去除后、光阻覆盖前，在栅氧上面额外生长一层牺牲氧化层，避免湿法刻蚀液中的DHF直接接触IO区域的栅氧层，通过精确控制牺牲氧化层的厚度使其恰好被去除，保留栅氧层，从而达到兼顾IO栅氧的质量和厚度的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种改善IO栅氧损伤的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512542A
申请号 ：
CN202210097248.9
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张鹏
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202210097248.9
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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