将四乙氧基硅烷用于形成高压器件栅氧层的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供一种将四乙氧基硅烷(TEOS)分解生成的二氧化硅用于高压MOS器件栅氧化层的方法，四乙氧基硅烷分解生成的二氧化硅作为绝缘层氧化物是理想的选择，但由于这种材料含有水，在其上面覆盖其他膜层(如多晶电极)后，再进行高温热处理时会导致氧化层局部变薄(Localize Thinning)，最终使这种材料的抗电击穿性能不适用于MOS器件的栅氧层。本发明的方法可以防止TEOS的氧化物膜在后续的高温制程中局部变薄，并且提升四乙氧基硅烷分解生成的二氧化硅的抗电击穿性能，使其适用于高压集成电路的栅氧化层。用这种方法生成的高压MOS器件的栅氧化层，其栅氧化物完整性，阈值电压稳定性，高温工作寿命测试等各项参数均在预定规格之内，产品性能良好。
基本信息
专利标题 ：
将四乙氧基硅烷用于形成高压器件栅氧层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101022079A
申请号 ：
CN200610023846.2
公开（公告）日 ：
2007-08-22
申请日 ：
2006-02-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陆肇勇黄柏喻秦宏志王燕军张纯寿陆文怡
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
上海新高专利商标代理有限公司
代理人 ：
楼仙英
优先权 ：
CN200610023846.2
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003944637
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利申请号 : 2006100238462
公开日 : 20070822
号牌文件序号 : 101003944637
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利申请号 : 2006100238462
公开日 : 20070822
2007-10-17 ：
实质审查的生效
2007-08-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
