形成用于成像元件的反应性硅烷酯的方法
专利权的终止
摘要
一种形成基本无低聚物的硅烷酯的工艺或方法。该方法包括使无水羧酸盐与硅烷在两相反应体系中进行反应。所述硅烷包含卤代烷基取代基。所述两相反应体系包含第一溶剂和第二溶剂，其中第二溶剂是基本不混溶于第一溶剂的溶剂。本文也产生使用由此形成的硅烷酯形成的成像元件。
基本信息
专利标题 ：
形成用于成像元件的反应性硅烷酯的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979347A
申请号 ：
CN200510128940.X
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H·B·古德布兰德N·－X·胡
申请人 ：
施乐公司
申请人地址 ：
美国康涅狄格州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
郭广迅
优先权 ：
CN200510128940.X
主分类号 ：
G03G5/07
IPC分类号 ：
G03G5/07 G03G5/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03G
电记录术；电照相；磁记录
G03G5/00
采用辐照用于原稿记录的记录构件；记录构件的制造；所用材料的选择
G03G5/02
电荷接受层
G03G5/04
光导层；电荷发生层或电荷转移层；上述各层的添加剂和黏接剂
G03G5/06
以有机光导材料为特征的
G03G5/07
聚合光导材料
法律状态
2019-11-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03G 5/07
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20100721
终止日期 : 20181202
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20100721
终止日期 : 20181202
2010-07-21 ：
授权
2008-01-30 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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