半导体器件及其形成方法

专利权的终止

摘要

一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的ＴＦＴｓ（薄膜晶体管），以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层，于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1073300A

申请号：

CN92112490.2

公开（公告）日：

1993-06-16

申请日：

1992-09-25

授权号：

CN1041873C

授权日：

1999-01-27

发明人：

山崎舜平竹村保彦间濑晃鱼地秀贵

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

肖掬昌

优先权：

CN92112490.2

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/088 H01L23/52 H01L21/28 H01L21/02