栅层二极管方法和装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
用于制造由集成电路的一部分栅层限定的二极管的方法、装置和物品。提供了本发明的说明性的、非限制性的实施例，包括温度补偿DRAM、温度补偿CPU、温度补偿逻辑电路和其它芯片上温度传感器应用。
基本信息
专利标题 ：
栅层二极管方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1947263A
申请号 ：
CN200580012308.7
公开（公告）日 ：
2007-04-11
申请日 ：
2005-10-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
W·－T·康
申请人 ：
英飞凌科技股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张雪梅
优先权 ：
CN200580012308.7
主分类号 ：
H01L29/868
IPC分类号 ：
H01L29/868 H01L29/861
法律状态
2009-12-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-06-06 ：
实质审查的生效
2007-04-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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