一种用于SiC功率器件芯片的栅氧化层制造方法
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摘要
本发明提供一种用于SiC功率器件芯片的栅氧化层制造方法，其步骤包括：使用SiC单晶或外延片，进行热氧化前，在SiC表面进行多次P离子注入；在NO气氛下进行低温退火；进行高温热氧化；热氧化完成后不降温，直接在惰性气体的气氛下升温进行高温退火；高温退火后在惰性气体的气氛下快速降温。该方法使用P离子注入代替气氛引入缺陷元素，通过多次注入可以精确控制引入元素数量。多次注入优化元素分布保证了P注入层在热氧化过程中全部消耗。热氧化前增加NO低温退火，使P和N元素共同形成界面陷阱，降低界面态。在惰性气体气氛下高温退火，不降温，直接快速升温，有助于SiC热氧化的副产物CO或CO2排除，减少了界面处含C副产物的堆积，提升栅极可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种用于SiC功率器件芯片的栅氧化层制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110880451A
申请号 ：
CN201911165223.2
公开（公告）日 ：
2020-03-13
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN110880451B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
吴苏州高莹李晓云叶怀宇张国旗
申请人 ：
深圳第三代半导体研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
代理机构 ：
北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 ：
阎冬
优先权 ：
CN201911165223.2
主分类号 ：
H01L21/04
IPC分类号 ：
H01L21/04 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-04-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/04
申请日 : 20191125
申请日 : 20191125
2020-03-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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