一种自散热快恢复功率器件芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种自散热快恢复功率器件芯片，涉及半导体技术领域，该器件芯片的结构在常规的PIN二极管的基础上进行改进，使用N型衬底，降低生产成本，N型衬底的正面形成P型注入区构成器件的P区，N型衬底的背面形成N+注入区构成器件的N区，N型衬底内部还形成有大面积的N‑区域构成器件P区和N区之间的I区，这种结构在相同击穿电压的情况下，P区和I区的均匀性更高，能够降低正向压降，提高器件的击穿电压，且器件芯片背面通过衬底沟槽增加了自散热结构，提升了器件芯片的可靠性，从而满足低功耗、高频、高温、小型化等应用要求。
基本信息
专利标题 ：
一种自散热快恢复功率器件芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921539923.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-16
授权号 ：
CN210110776U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
范捷万立宏王绍荣
申请人 ：
江苏丽隽功率半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市五湖大道11号蠡湖科创中心南楼1209室
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂启新
优先权 ：
CN201921539923.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861 H01L23/367
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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