不受栅氧化层厚度影响的分裂栅MOSFET结构
授权
摘要
本发明公开了一种不受栅氧化层厚度影响的分裂栅MOSFET结构，将栅间隔离介质的热氧化生长和栅氧化层的热生长分开进行，使得栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度的影响，同时避免了常规热生长方法生产栅间隔离介质缺陷导致栅源漏电及栅源电容大等诸多问题。栅极氧化厚度不影响栅间隔离介质的厚度和质量，可根据器件参数要求自由选择栅氧化层厚度，解决了栅源漏电问题并且降低了栅源电容，增强了器件的开关速度，极大的提升了MOSFET高频开关电源领域的适用性。
基本信息
专利标题 ：
不受栅氧化层厚度影响的分裂栅MOSFET结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020707212.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-30
授权号 ：
CN212342641U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
苏亚兵赵志方何鑫鑫徐亚静
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区施湾七路1001号
代理机构 ：
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 ：
董梅
优先权 ：
CN202020707212.4
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/423 H01L29/06 H01L21/28 H01L21/336
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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