一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路
授权
摘要
本实用新型提供了一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，包括：ESD器件、设置在ESD器件的发射极和基极之间的抑制电阻、第一寄生三极管、第二寄生三极管、第三寄生三极管以及外部电源；第一寄生三极管以及第二寄生三极管的基极与ESD器件的集电极连接，第一寄生三极管以及第二寄生三极管的发射极与ESD器件的基极连接，第一寄生三极管以及第二寄生三极管的集电极分别与外部电源连接；第三寄生三极管的基极分别与ESD器件的基极以及第一寄生三极管的发射极连接，第三寄生三极管的发射极与ESD器件的发射极连接，第三寄生三极管的集电极分别与ESD器件的集电极、第一寄生三极管的基极以及第二寄生三极管的基极连接。本实用新型能够提高ESD器件抗闩锁效应的能力。
基本信息
专利标题 ：
一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022078080.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-21
授权号 ：
CN212435579U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
贺江平王俊喜孙晓良
申请人 ：
深圳市思远半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽街道第五工业区外经工业厂房A栋502
代理机构 ：
深圳君信诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
薛吉林
优先权 ：
CN202022078080.6
主分类号 ：
H02M1/44
IPC分类号 ：
H02M1/44
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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