一种具有抗闩锁能力的IGBT器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型为一种具有抗闩锁能力的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本实用新型提出通过使用分段式的N型源区和分段式的源区接触孔区，并通过调节N型源区和源区接触孔的重合区域大小来控制引入的镇流电阻大小，从而控制导通时的N型源区电势，来达到抗闩锁的目的。本实用新型提出的降低IGBT器件闩锁风险的结构，采用通过控制电子自身的流通路径来提供镇流电阻的方法，工艺简单，设备要求低，无需额外引入P型注入，并可以有效抑制闩锁的发生同时提高短路能力。
基本信息
专利标题 ：
一种具有抗闩锁能力的IGBT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021417303.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-17
授权号 ：
CN213026138U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
许海东
申请人 ：
北京世港晟华科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区安宁庄西三条9号1幢5层1单元501B
代理机构 ：
北京首捷专利代理有限公司
代理人 ：
姜波
优先权 ：
CN202021417303.0
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06
法律状态
2021-12-24 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/739
登记生效日 : 20211213
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京世港晟华科技有限公司
变更后权利人 : 南京晟芯半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100000 北京市海淀区安宁庄西三条9号1幢5层1单元501B
变更后权利人 : 210000 江苏省南京市江宁经济技术开发区高湖路105号
登记生效日 : 20211213
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京世港晟华科技有限公司
变更后权利人 : 南京晟芯半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100000 北京市海淀区安宁庄西三条9号1幢5层1单元501B
变更后权利人 : 210000 江苏省南京市江宁经济技术开发区高湖路105号
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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