具有抗突波能力的碳化硅两级管器件
授权
摘要

本实用新型涉及一种具有抗突波能力的碳化硅两级管器件,包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、阶梯型沟槽、第二导电类型体区、肖特基金属层与欧姆金属层;在第一导电类型碳化硅外延体区的上表层开设有多个阶梯型沟槽,且在从下往上的方向上,阶梯型沟槽的槽宽呈逐级增大设置;第一导电类型碳化硅外延体区的上表面以及阶梯型沟槽的内部设有肖特基金属层;第二导电类型体区呈阶梯型且包围每一级沟槽的底面以及第二级至最后一级沟槽的侧壁。本实用新型提高了抗顺向突波电流能力;本实用新型具有更低的器件顺向导通电压、更高的器件耐压、更低的漏电电流、更好的抗突波电流能力和更低的制作成本。

基本信息
专利标题 :
具有抗突波能力的碳化硅两级管器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021329381.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-08
授权号 :
CN212342634U
授权日 :
2021-01-12
发明人 :
陈彦豪
申请人 :
苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园E幢2楼
代理机构 :
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
曹祖良
优先权 :
CN202021329381.5
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06  H01L29/417  H01L29/47  H01L29/872  H01L21/28  H01L21/04  H01L21/329  
法律状态
2021-01-12 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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