一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法

实质审查的生效

摘要

本发明涉及一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法，主要应用于SiC MOSFET总剂量效应试验。本发明可以解决SiC MOSFET的总剂量试验问题，实现了对SiC MOSFET复杂总剂量效应的验证，在试验过程中，对总剂量辐射诱生缺陷引起的阈值电压漂移和SiC MOSFET界面附近固有的近界面陷阱电荷引起的阈值电压漂移分别测量，对测试结果进行综合分析计算，可以给出SiC MOSFET器件抗总剂量效应能力，给用户进行应用抗辐射加固设计和生产厂家进行器件加固起到一定的指导作用。

基本信息

专利标题：

一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114460429A

申请号：

CN202111394943.3

公开（公告）日：

2022-05-10

申请日：

2021-11-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

于庆奎王贺曹爽孙毅梅博吕贺莫日根王乾元孙佳佳张洪伟

申请人：

中国空间技术研究院

申请人地址：

北京市海淀区友谊路104号

代理机构：

中国航天科技专利中心

代理人：

庞静

优先权：

CN202111394943.3

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01R

测量电变量；测量磁变量

G01R31/26

•单个半导体器件的测试

法律状态

2022-05-27 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20211123

2022-05-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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