钴源辐照试验剂量不均匀度分析方法
公开
摘要
钴源辐照试验剂量不均匀度分析方法。现有钴源辐照试验均采用重铬酸钾（银）剂量计间隔固定距离对辐射场区域进行标定，未跟进试验样品尺寸、材质进行预测计算。本发明包括如下步骤：60CO放射源MC几何建模；60CO放射源材料的选择；源位几何结构的建立；吸收剂量的模拟方法；计算结果验证与分析；模拟结果预测及验证；不同平面吸收剂量彩色图；试验样品不匀度估算。本发明用于钴源辐照试验剂量不均匀度分析。
基本信息
专利标题 ：
钴源辐照试验剂量不均匀度分析方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373513A
申请号 ：
CN202111582607.1
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒋继成赵弘韬姚钢田波张楠张玉宝杨仲秋
申请人 ：
黑龙江省原子能研究院
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区科研街26号
代理机构 ：
哈尔滨东方专利事务所
代理人 ：
陈晓光
优先权 ：
CN202111582607.1
主分类号 ：
G16C10/00
IPC分类号 ：
G16C10/00 G16C20/10 G16C20/80 G16C20/90 G16C60/00 G06F30/25
IPC结构图谱
G
G部——物理
G16
特别适用于特定应用领域的信息通信技术
G16C
计算化学;化学信息学; 计算材料科学
G16C10/00
计算理论化学，例如特别适用于量子化学、分子力学、分子动力学等的理论方面的ICT
法律状态
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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