一种总剂量效应的检测与加固电路及方法及模拟电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种总剂量效应的检测与加固电路及方法及模拟电路，包括总剂量效应检测电路和补偿电流产生电路；总剂量效应检测电路包括电阻R和MOS管Mn，补偿电流产生电路包括MOS管Mp，电阻R的第一端和MOS管Mp的栅极相连接，MOS管Mp的源极为补偿电流产生电路的输出端；电阻R的第一端和MOS管Mp的漏极连接有电流源；电阻R的第二端连接MOS管MN的漏极和栅极，MOS管Mn的源极接地，MOS管Mn的源极为总剂量效应检测电路的输入端。可实现对总剂量效应进行连续性检测的电路，并且在可以根据辐照剂量大小的变化，直接产生相应的补偿电流，达到在检测的同时直接进行加固的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种总剂量效应的检测与加固电路及方法及模拟电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114441920A
申请号 ：
CN202210104182.1
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭仲杰卢沪刘楠曹喜涛刘申邱子忆李梦丽
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市金花南路5号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
陈翠兰
优先权 ：
CN202210104182.1
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 H03K19/003
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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