模拟开关电路
授权
摘要
本实用新型揭示了一种模拟开关电路,所述电路包括:若干开关支路,每条开关支路包括NMOS管、PMOS管及负压保护单元,所述NMOS管的源极和漏极分别与两个端口电性连接,PMOS管的漏极和源极分别与两个端口电性连接,NMOS管和PMOS管的栅极控制信号分别为VCN和VCP,NMOS管为基于深n阱的MOS管,衬底电压为NBULK,负压保护单元用于将NMOS管的衬底电压NBULK配置为两个端口电压的较小者。本实用新型的模拟开关电路可以在负压中应用,并且可以实现负压保护功能,且电路简单,节省了芯片面积;消除了MOS管的体效应,减小了MOS管的导通电阻和导通阻抗变化,提高了MOS管导通的THD性能,同时解决了关闭的开关支路漏电的问题;整个开关电路无需额外的静态功耗,可实现0静态功耗。
基本信息
专利标题 :
模拟开关电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022243094.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-10
授权号 :
CN213027982U
授权日 :
2021-04-20
发明人 :
柯可人张富强
申请人 :
思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园2-B304-1
代理机构 :
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 :
周仁青
优先权 :
CN202022243094.9
主分类号 :
H03K17/16
IPC分类号 :
H03K17/16
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法律状态
2021-04-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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