一种抗辐射加固存储器
授权
摘要

本实用新型公开了一种抗辐射加固存储器,包括检二纠一电路、三模冗余电路、和刷新电路;其中,刷新电路包括刷新控制器、刷新寄存器、控制选择器和数据选择器;刷新控制器产生刷新存储器的刷新控制信号输出至控制选择器,以及基于刷新寄存器的配置产生刷新频率输出至控制选择器和数据选择器;每刷新一次,数据就会经过一次检二纠一电路和三模冗余电路,检二纠一电路可纠正存储器内部出现的1位错误,三模冗余电路可纠正存储器读写过程中控制单元出现的多位错误,结合刷新电路,在正常读写操作之外,增加刷新读写操作不断的进行纠错,可防止错误累积;所有加固措施均由硬件电路实现,运行速度快,降低软件开销和程序复杂度,提高处理器的运行效率。

基本信息
专利标题 :
一种抗辐射加固存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020129531.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-20
授权号 :
CN211124024U
授权日 :
2020-07-28
发明人 :
李诚
申请人 :
青岛本原微电子有限公司
申请人地址 :
山东省青岛市即墨区宁东路168号
代理机构 :
青岛联智专利商标事务所有限公司
代理人 :
王笑
优先权 :
CN202020129531.1
主分类号 :
G06F11/18
IPC分类号 :
G06F11/18  G06F11/10  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F11/00
错误检测;错误校正;监控
G06F11/07
响应错误的产生,例如,容错
G06F11/16
用硬件中的冗余作数据的错误检测或校正
G06F11/18
应用冗余电路的消极故障掩膜,例如,用四线或多线判定电路作数据的错误检测或校正
法律状态
2020-07-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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